对应材料主要为硫化锑和硫化铅量子点太阳能电池，大数夺战在传统薄膜太阳能电池期刊发表论文数篇。

一般来说，据争电子能量达到约为几eV量级时就可以在在单层石墨烯内部运动，据争由于石墨烯为二维层状结构，电子在里面的运动所需能量可用线性叠加原理计算,所以相互平行的双层石墨烯虽然具有很好的导电性，但距离超导特性还相差甚远。可进一步通过掺杂其他杂质来提高超导温度并降低压力，上演使其更加适宜实际应用。

h[1-11]域轴上TEM图片的高分辨图像[6]Figure 7NbAs纳米带电子的运输资料a 样品1-6温度和电阻率的关系，众多插图为NbAs纳米带的金相照片。Figure10不同La+H2化合物的R-T曲线黑线为未经加热的化合物，企业红线表示其转变起始温度为70K,粉线表示加压152GPa后超导转变温度仍为70K，企业蓝线表示样品加热后转变温度上升到112K，绿线表示循环加热后其超导转变温度仍为112K [9].参考文献[1]EugeneJ.Mele.Novelelectronicstatesseeningraphene.Nature2018.[2]NontrivialsuperconductivityintopologicalMoTe2−xSxcrystals.YananLia,QiangqiangGu,ChenChend,JunZhang,QinLiud,XiyaoHua,JunLiug,YiLiu,LangshengLing,MingliangTiang,YongWangh,NitinSamarthc,ShiyanLid,TongZhangd,JiFeng,andJianWang。从他们对NbAs纳米带电子的运输能力的探测来看，欲分其导电性非常优良，欲分百倍于金属铜薄膜和千倍于石墨烯的导电性，刷新了二维体系中最高的记录（见figure 7）。

但是近日，大数夺战不可思议的事情又再一次发生了，大数夺战修发贤课题组基于拓扑表面态的低散射率机制，在外尔半金属砷化铌纳米带的表面，实现了极高的导电性，直接解决了两者矛盾的难题。据争b)为激光加热后样品的特征。

上演（B）测量的超导沟与计算模拟的BCS沟的对比。

c，众多d分别是霍尔电阻和磁致电阻相对于磁场的比率。红色天门出现：企业吉，做大官。

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